1.冷场,SE分辨率0.6 nm@15kV(WD≥ 4mm,非减速模式),0.7nm@1kV(W D≥1.5mm);
2.加速电压0.01~30kV,束流0~20nA;
3.高位二次电子探测器,SE、BSE信号接受比例0~100%任意调节;
4.镜筒内半导体式背散射电子探测器:≥4分割;
5.能谱仪:分析型SDD硅漂移电制冷探测器,有效面积100mm²。
1.冷场,SE分辨率0.6 nm@15kV(WD≥ 4mm,非减速模式),0.7nm@1kV(W D≥1.5mm);
2.加速电压0.01~30kV,束流0~20nA;
3.高位二次电子探测器,SE、BSE信号接受比例0~100%任意调节;
4.镜筒内半导体式背散射电子探测器:≥4分割;
5.能谱仪:分析型SDD硅漂移电制冷探测器,有效面积100mm²。