| 类别 | 描述 |
| 硅片 | 1.掺杂类型：N，P 2.晶向：<100>，<110>，<111> 3.直径：2~12英寸 4.电阻率：常用各种范围均提供，0.001~2000欧姆.厘米 5.TTV、平整度、弯曲度、翘曲度、直径工差、厚度工差、晶向偏离度等参数按照Semi标准执行 |
| SOI硅片 | 1.直径4～8英寸 2.可提供Bonding工艺SOI和Smart cut工艺SOI 3.器件层厚度最薄可到150nm，埋氧层厚度可到最薄1um 4.可根据用户所需器件层、埋氧层、体硅各层材料的参数定制，以及多层SOI的定制 |
氧化硅片(国产/进口) | 1.直径 1～8英寸 2.氧化层厚度：10nm～20um 3.氧化硅片是指在硅片表面存在一层氧化层，氧化层的厚度根据用户需求而定。 4. 厚度2um的氧化层，需要定制加工 5. 根据产品工艺要求可提供干湿干氧和纯干氧不同工艺氧化片 |
| 氮化硅片 | 1.直径2～8英寸 2.氮化硅片是指表面有氮化硅层的硅片，一般运用LPCVD沉积氮化硅层 3.加工的厚度范围从20nm—1um |
