镀膜工艺是通过物理气相沉积（PVD）、化学气相沉积（CVD）或原子层沉积（ALD）等技术，在衬底表面精确沉积金属、绝缘体或半导体薄膜，用于构建导电层、绝缘层、保护层等关键结构，是芯片制造中实现器件功能与性能的核心工艺。

光刻工艺是通过光刻胶感光特性，利用光刻机将掩膜版图案曝光显影至硅片表面，实现电路图形化转移的核心技术，用于构建微纳米级器件结构。

键合工艺通过热压、超声、共晶、激光等技术实现芯片与基板或芯片间的机械与电气连接，确保高可靠性和微型化封装，广泛应用于集成电路制造。

刻蚀工艺是通过化学或物理方法在衬底表面精确去除材料，形成电路图形的关键技术。主要分为湿法（溶液腐蚀）和干法（等离子体刻蚀），后者具有高分辨率、可控性强等优势，广泛应用于纳米级制程中高深宽比结构的加工。

切割打孔工艺是利用激光或刀片将晶圆分割成单个芯片，结合激光钻孔或机械钻孔技术在芯片上形成高精度通孔，用于引脚安装或电气连接，需严格控制边缘质量和孔深以避免损伤。

离子注入工艺是通过电场加速杂质离子，精确注入半导体衬底，形成特定导电区域（如 PN 结、源漏区），具有高精度、低温、可控性强等特点，广泛用于半导体器件制造。

减薄抛光工艺通过机械研磨、化学蚀刻及化学机械抛光（CMP），将晶圆背面减薄至微米级并实现纳米级平整度，确保封装可靠性与散热性能，是芯片后段制造的关键工艺。

聚酰亚胺工艺是半导体芯片制造中采用旋涂或 CVD 法涂覆耐高温、高绝缘性的聚酰亚胺材料，经高温固化、光刻蚀刻形成图形，用于层间介质、钝化层或应力缓冲层，保障器件可靠性与性能。

PDMS 一般指聚二甲基硅氧烷，在半导体芯片工艺中常涉及利用其特性制作微流控芯片、模具或用于封装等，以实现特定功能及保护。

PMMA工艺常涉及基片预处理、旋涂光刻胶、前烘、曝光、显影等，还可用于微流控芯片封装、晶圆减薄保护。